FMUSER Oriġinali MRF6VP2600H Ġdid Ġdid Tranżistur tal-Qawwa RF MOSFET Transistor 500MHz 600W Laterali L-Kanal W Broadband-RF Transistor-FMUSER Fornitur Waqqaf FM / TV.

FMUSER Oriġinali Ġdid MRF6VP2600H Transistor tal-Qawwa RF Transistor MOSFET 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband Overview Il-MRF6VP2600H huwa ddisinjat primarjament għal applikazzjonijiet tal-broadband bi frekwenzi sa 500 MHz. L-apparat mhuwiex imqabbel u huwa adattat għall-użu f'applikazzjonijiet tax-xandir. Karatteristiċi * Prestazzjoni tipika ta 'DVB-T OFDM: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Avg., F = 225 MHz, Channel Bandwidth = 7.61 MHz, Input Signal PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probabbiltà fuq CCDF. Qligħ ta 'Qawwa: 25 dB Effiċjenza tal-Fossa: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Wisa' tal-Banda * Prestazzjoni Tipika Pulsata: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Wisa 'tal-Pulse = 100

dettall

preċedenti:FMUSER Oriġinali Ġdid MRFE6VP61K25H Transistor ta 'Qawwa RF Transistor MOSFET ta' Qawwa Għolja LDMOS Għal Transmitter FM ta '1000w

Li jmiss:FMUSER Oriġinali Ġdid BLF178XR Qawwa Trististor RF Qawwa MOSFET Transistor LDMOS 1400W HF-128MHz

Prezz (USD)	Qty (PCS)	Tbaħħir (USD)	Totali (USD)	Metodu tat-tbaħħir	Ħlas
245	1	35	280	DHL
				DHL

FMUSER Oriġinali MRF6VP2600H Ġdid Transistor tal-Qawwa RF Transistor MOSFET 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband

Ħarsa ġenerali

L-MRF6VP2600H huwa ddisinjat primarjament għal applikazzjonijiet ta 'frekwenza wiesgħa bi frekwenzi sa 500 MHz. L-apparat mhuwiex imqabbel u huwa adattat għall-użu f'applikazzjonijiet tax-xandir.

Karatteristiċi

* Prestazzjoni tipika ta 'DVB-T OFDM: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Medja, f = 225 MHz, Channel Bandwidth = 7.61 MHz, Sinjal tad-Dħul PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probabbiltà fuq CCDF. : 25 dB Effiċjenza tal-Fossa: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Wisa 'tal-Banda

* Prestazzjoni Pulsata Tipika: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Wisa 'tal-Pulse = 100 µsec, Duty Cycle = 20% Qligħ ta' Qawwa: 25.3 dB Effiċjenza tal-Fossa: 59%

* Kapaċi Immaniġġja 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Watts L-Ogħla Peak Power, Wisa 'tal-Pulse = 100 µsec, Duty Cycle = 20%

* Ikkaratterizzat bil-Parametri ta ’Impedenza ta’ Sinjal Kbir Ekwivalenti ta ’Serje

* Kapaċità ta 'Operazzjoni ta' CW b'tkessiħ adegwat

* Kwalifikat Sa Massimu ta '50 VDD Operazzjoni

* Integrata ESD Protezzjoni

* Iddisinjat għal Operazzjoni Imbotta Imbotta

* Gamma ta 'Vultaġġ Negattiv ta' Vultaġġ akbar għal Operazzjoni mtejba tal-Klassi C

* RoHS jikkonformaw

* Fil Tape u Reel. R6 Suffix = 150 Unitajiet għal kull 56 mm, 13 pulzier Reel.

Speċifikazzjoni

Frekwenza (Min) (MHz): 2

Frekwenza (Max) (MHz): 500

Vultaġġ tal-Provvista (Typ) (V): 50

P1dB (Tip) (dBm): 57.8

P1dB (Tip) (W): 600

Qawwa tal-Ħruġ (Typ) (W) @ Livell ta 'Intermodulazzjoni fis-Sinjal tat-Test: 125.0 @ AVG

Sinjal tat-Test: OFDM

Qligħ tal-Qawwa (Tip) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Effiċjenza (Tip) (%): 28.5

Reżistenza Termali (Speċifikazzjoni) (℃ / W): 0.2

Tqabbil: mhux imqabbel

Klassi: AB

Teknoloġija Die: LDMOS

Prezz (USD)	Qty (PCS)	Tbaħħir (USD)	Totali (USD)	Metodu tat-tbaħħir	Ħlas
245	1	35	280	DHL
				DHL

preċedenti:FMUSER Oriġinali Ġdid MRFE6VP61K25H Transistor ta 'Qawwa RF Transistor MOSFET ta' Qawwa Għolja LDMOS Għal Transmitter FM ta '1000w

Li jmiss:FMUSER Oriġinali Ġdid BLF178XR Qawwa Trististor RF Qawwa MOSFET Transistor LDMOS 1400W HF-128MHz

Ħalli messaġġ

Lista messaġġ

Kummenti Loading ...