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FMUSER Oriġinali Ġdid MGF2430A Transistor tal-Qawwa tal-Enerġija MOSFET Transistor
FMUSER Original New MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor DESKRIZZJONI L-MGF2430A, GaAs FET bi schottkygate N-channel, huwa ddisinjat għal amplifikaturi tal-medda L sa Ku. KARATTERISTIĊI ● Qawwa għolja tal-ħruġP1dB = 30.5dBm (TYP) @ f = 14.5GHz ● Qligħ lineari għoli GLP = 6.5dB (TYP.) @ F = 14.5GHz ● Effiċjenza għolja miżjuda effiċjenzaP.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB ● Pakkett tal-metall issiġillat ermetikament APPLIKAZZJONI ● Għal amplifikaturi tal-qawwa tal-medda L sa Ku KWALITÀ ● Tpinġija IGOUTLINE KUNDIZZJONIJIET BIAS RAKKOMANDATI ● Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500 ● Klassifikazzjonijiet massimi assoluti ● VGDO Gate to Source Voltage ● VGSO Gate to source source ● IDSS Satu
dettall
| Prezz (USD) | Qty (PCS) | Tbaħħir (USD) | Totali (USD) | Metodu tat-tbaħħir | Ħlas |
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FMUSER MGF2430A MOSFET ta 'Qawwa Transistor ta' Qawwa RF Ġdida Oriġinali Transistor
DESKRIZZJONI
L-MGF2430A, GaAs FET bi skottkygate tal-kanal N, huwa ddisinjat għal amplifikaturi tal-medda L sa Ku.
KARATTERISTIĊI
●Qawwa għolja tal-ħruġ P1dB = 30.5dBm (TYP) @ f = 14.5GHz
●Qligħ lineari għoli GLP = 6.5dB (TYP.) @ F = 14.5GHz
●Effiċjenza miżjuda ta 'enerġija għolja P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5GHz, P1dB●Pakkett tal-metall issiġillat ermetikament APPLIKAZZJONI
●Għal amplifikaturi tal-qawwa tal-medda L sa Ku KWALITÀ
●Tpinġija IGOUTLINE
KUNDIZZJONIJIET BIAS RAKKOMANDATI
●Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500●Klassifikazzjonijiet massimi assoluti
●VGDO Gate għall-Vultaġġ tas-Sors
●VGSO Gate għall-vultaġġ tas-sors
●IDSS Kurrent tad-drenaġġ saturat
●IGR Reverse gate kurrenti
●Kurrent tal-bieb 'il quddiem IGF
●PT * 1 Id-dissipazzjoni tal-qawwa totali
●Temperatura tat-Tch Cannel
●Tstg Temperatura tal-ħażna * 1: Tc = 25 ° C (Ta = 25 ° C)
Pakkett jinkludi
1x MGF2430A Transistor tal-Enerġija RF
| Prezz (USD) | Qty (PCS) | Tbaħħir (USD) | Totali (USD) | Metodu tat-tbaħħir | Ħlas |
| 69 | 1 | 0 | 69 | airmail |
