FMUSER Original New D1029UK RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Dual N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5-Pin DR D1029UK-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER Oriġinali Ġdid D1029UK Enerġija RF Transistor Qawwa MOSFET Transistor Doppju N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5-Pin DR D1029UK Karatteristiċi DISINN TA 'AMPLIFIKATUR SEMPLIFIKAT ADATTAT GĦAL APPLIKAZZJONIJIET TA' BANDIJA WIESA ĊIRKWITTI BIAS SEMPLIĊI SEMPLIĊI BIAS ĊIRKWITU BAXX QLIGĦ GĦOLI-13 db MINIMU Attribut / Valur Tip ta 'Kanal: N Kurrent Kontinwu ta' Ixxotta Massimu: 35 A Vultaġġ Massimu tas-Sors tad-Drenar: 70 V Tip ta 'Pakkett: DR Tip ta' Immuntar: Għadd ta 'Pin Mount Mount: 5 Modalità tal-Kanal: Titjib Vultaġġ Massimu tal-Limitu tal-Bieb: 7V Dissipazzjoni ta' Qawwa Massima: 438 W Konfigurazzjoni tat-Transistor: Sors Komuni Vultaġġ Massimu tas-Sors tal-Bieb: -20 V, +20 V Numru ta 'Elementi għal kull Ċippa: 2 Temperatura Operattiva Massima: +200 ° C Transi

dettall

preċedenti:FMUSER Oriġinali MRF1K50H RF Power MOSFET LDMOS Transistor 1500W CW f'50 V fuq 1.8-500 MHz

Li jmiss:FMUSER Oriġinali Ġdid MRF6VP11KH Transistor tal-Qawwa tal-Enerġija MOSFET Transistor

Prezz (USD)	Qty (PCS)	Tbaħħir (USD)	Totali (USD)	Metodu tat-tbaħħir	Ħlas
149	1	0	149	DHL
				DHL

FMUSER Original New D1029UK RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Dual N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5-Pin DR D1029UK

Karatteristiċi
DISINN TA 'AMPLIFIKATUR SIMPLIFIKAT
ADATTAT GĦAL APPLIKAZZJONIJIET TA 'BANDIJA WIESA'
BAXX Crss
ĊIRKWITI SEMPLIĊI TAL-BIAS
STORB BAXX
QLIGĦ GĦOLI-13 db MINIMU

speċifikazzjonijiet

Attribut / Valur
Tip ta 'Kanal: N
Kurrent Massimu Kontinwu tad-Drenar: 35 A
Vultaġġ tas-Sors Massimu tad-Drain: 70 V
Tip ta 'Pakkett: DR
Tip ta 'Immuntar: Panel Mount
Għadd tal-Pinnijiet: 5
Modalità tal-Kanal: Titjib
Vultaġġ tal-Limitu Massimu tal-Bieb: 7V
Dissipazzjoni tal-Qawwa Massima: 438 W
Konfigurazzjoni tat-Transistor: Sors Komuni
Vultaġġ Massimu tas-Sors tal-Bieb: -20 V, +20 V
Numru ta 'Elementi għal kull Ċippa: 2
Temperatura Operattiva Massima: +200 ° C
Materjal tat-Transistor: Si
Għoli: 5.08mm
Wisa ': 10.16mm
Serje: TetraFET
Tul: 34.03mm