FMUSER Oriġinali Ġdid MRF6VP11KH Enerġija RF Transistor Qawwa MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER Oriġinali Ġdid MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor FMUSER MRF6VP11KHR6 huwa ddisinjat primarjament għal applikazzjonijiet tal-broadband bl-impulsi bi frekwenzi sa 150 MHz. L-apparat mhuwiex imqabbel u huwa adattat għall-użu f'applikazzjonijiet industrijali, mediċi u xjentifiċi. Karatteristiċi Prestazzjoni Pulsata Tipika f'130 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watts Peak (200 W Medja), Wisa 'tal-Pulse = 100 µsec, Duty Cycle = 20% Power Gain: 26 dB Effiċjenza tad-Drain: 71 % Kapaċi jimmaniġġa 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts L-Ogħla Qawwa Karatterizzata b'Parametri ta 'Serje Ekwivalenti ta' Impedanza ta 'Sinjal Kapaċità ta' Operazzjoni CW bi Tkessiħ Adegwat Kwalifikat Sa Massimu ta '50 VDD Operazzjoni Integrata ESD Protect

dettall

preċedenti:FMUSER Oriġinali Ġdid D1029UK RF Qawwa Transistor Qawwa MOSFET Transistor Doppju N-Kanal MOSFET, 35 A, 70 V, 5-Pin DR D1029UK

Li jmiss:FMUSER Oriġinali Ġdid MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube Frekwenza Għolja Tube Amplification Power Module Power MOSFET Transistor

Prezz (USD)	Qty (PCS)	Tbaħħir (USD)	Totali (USD)	Metodu tat-tbaħħir	Ħlas
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER Oriġinali Ġdid MRF6VP11KH Transistor tal-Qawwa tal-Enerġija MOSFET Transistor

FMUSER MRF6VP11KHR6 huwa ddisinjat primarjament għal applikazzjonijiet tal-broadband bl-impulsi bi frekwenzi sa 150 MHz. L-apparat mhuwiex imqabbel u huwa adattat għall-użu f'applikazzjonijiet industrijali, mediċi u xjentifiċi.

Karatteristiċi

Prestazzjoni Pulsata Tipika f'130 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watts Peak (200 W Medja), Wisa 'tal-Pulse = 100 µsec, Duty Cycle = 20%
Qligħ tal-Qawwa: 26 dB
Ixxotta Effiċjenza: 71%
Kapaċi Immaniġġja 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts L-Ogħla Peak Power
Kkaratterizzat bil-Parametri Impedanti tas-Sinjal Kbir ta 'Ekwivalenti Kbar
Kapaċità ta 'Operazzjoni ta' CW b'tkessiħ adegwat
Kwalifikat Sa massimu ta 'Operazzjoni 50 VDD
Integrata ESD Protezzjoni
Iddisinjat għal Operazzjoni Imbotta Imbotta
Gamma ta 'Vultaġġ Negattiv ta' Vultaġġ akbar għal Operazzjoni mtejba tal-Klassi C
RoHS jikkonformaw
F’Tape and Reel. Suffiss R6 = 150 Unità għal kull 56 mm, Rukkell ta '13-il pulzier

Speċifikazzjoni

Tip ta 'transister: LDMOS
Teknoloġija: Si
Applikazzjoni Industrija: ISM, Broadcast
Applikazzjoni: Xjentifika, Medika
CW / Pulse: CW
Frekwenza: 1.8 sa 150 MHz
Qawwa: 53.01 dBm
Qawwa (W): 199.99 W
P1dB: 60.57dBm
Qawwa tal-Ħruġ tal-Ogħla: 1000 W.
Wisa 'Pulsed: 100 us
Ċiklu_Dazju: 0.2
Qligħ tal-Qawwa (Gp): 24 sa 26 dB
Ritorn tal-Input: Telf: -16 sa -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Polarità: N-Channel
Vultaġġ tal-Provvista: 50 V
Limitu tal-Vultaġġ: 1 sa 3 Vdc
Vultaġġ tat-Tqassim - Sors ta 'Ixxotta: 110 V
Vultaġġ - Gate-Source: (Vgs): - 6 sa 10 Vdc
Effiċjenza tal-Fossa: 0.71
Ixxotta Kurrent: 150 mA
Impedenza Zs: 50 Ohms
Reżistenza Termali: 0.03 ° C / W
Pakkett: Tip: Flanġ
Pakkett: CASE375D - 05 STYLE 1 NI - 1230--4
RoHS: Iva
Temperatura Operattiva: 150 Grad Ċ
Temperatura tal-Ħażna: -65 sa 150 Grad Ċ