L-FMUSER Oriġinali MRF151 To-59 Tube ta 'Frekwenza Għolja 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET RF Qawwa Effett fuq il-Qasam Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

Il-FMUSER Oriġinali MRF151 To-59 Tube ta 'Frekwenza Għolja 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET RF Power Field-Effect Transistor Ħarsa ġenerali L-apparati tas-serje MRF huma transisters RF bipolari ta' prestazzjoni għolja ta '1MHz sa 3.5GHz. Dawn it-transisters bipolari Tech huma ideali għal avjonika, komunikazzjonijiet, radar, u applikazzjonijiet industrijali, xjentifiċi u mediċi. L-apparati tas-serje MRF huma parti minn firxa wiesgħa ta 'transisters tal-qawwa RF li jinkludu wkoll amplifikaturi tal-pallet, transisters TMOS u DMOS, u transisters LDMOS. Karatteristiċi ● Prestazzjoni Garantita fi 30 MHz, 50 V: ● Qawwa tal-Ħruġ - 150 W ● Gwadan - 18 dB (22 dB Typ) ● Effiċjenza - 40% ● Prestazzjoni Tipika f'175 MHz, 50 V: ● Ou

dettall

preċedenti:FMUSER Oriġinali Ġdid SD2932 RF Transistor Qawwa Qawwa Għolja Transistor MOSFET 50V

Li jmiss:Il-FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-channel MOS-field field effect Broadband RF Power Power-Effect Field Transistor

Prezz (USD)	Qty (PCS)	Tbaħħir (USD)	Totali (USD)	Metodu tat-tbaħħir	Ħlas
149	1	0	149	DHL
				DHL

Il-FMUSER Oriġinali MRF151 To-59 Tube ta 'Frekwenza Għolja

150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET RF Transistor Effett Field Field Effect

Ħarsa ġenerali

L-apparati tas-serje MRF huma transistors RF bipolari b'molari ta '1MHz sa 3.5GHz. Dawn it-transistors bipolari Tech huma ideali għal avjoniċi, komunikazzjonijiet, radar, u applikazzjonijiet industrijali, xjentifiċi u mediċi. L-apparati tas-serje MRF huma parti minn firxa wiesgħa ta 'transistors tal-qawwa RF li jinkludi wkoll amplifikaturi tal-pallet, transistors TMOS u DMOS, u transistors LDMOS.

Karatteristiċi

● Prestazzjoni Garantita fi 30 MHz, 50 V:
● Qawwa tal-ħruġ - 150 W
● Qligħ - 18 dB (22 dB Tip)
● Effiċjenza - 40%
● Prestazzjoni tipika f'175 MHz, 50 V:
● Qawwa tal-ħruġ - 150 W
● Qligħ - 13 dB

● Reżistenza termika baxxa
● Ir-robustezza ttestjata b'qawwa tal-ħruġ nominali
● Nitride Passivated Die għal Affidabilità Msaħħa

deskrizzjoni

Transisters RF MOSFET 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB. Iddisinjat għal applikazzjonijiet kummerċjali u militari tal-broadband fi frekwenzi sa 175 MHz. Il-qawwa għolja, il-qligħ għoli u l-prestazzjoni tal-broadband ta 'dan l-apparat jagħmlu possibbli trasmettituri ta' stat solidu għal meded ta 'frekwenza ta' xandir FM jew kanal tat-TV.

Speċifikazzjoni

● Kategorija tal-Prodott: Transistors MOSFET RF
● Polarità tat-Transistor: N-Kanal
● Id - Kurrent ta 'Ixxotta kontinwa: Il 16
● Vds - Vultaġġ tat-Tqassim tas-Sors tad-Drenaġġ: 125 V
● Gwadan: 13 dB
● Power Riżultat: 150 W
● Temperatura Operattiva Minima: - 65 Ċ
● Temperatura Massima ta 'Tħaddim: + 150 Ċ
● Immuntar Style: SMD / SMT
● Pakkett / Każ: 221-11-3
● Ippakkjar: Tray
● konfigurazzjoni: Uniku
● Frekwenza tat-tħaddim: 175 MHz
● Pd - Tqassim tal-Qawwa: 300 W
● Tip tal-prodott: Transistors MOSFET RF
● Pakkett tal-Fabbrika Kwantità: 20
● Sottokategorija: MOSFETI
● Vgs - Vultaġġ tas-Sors tal-Bieb: 40 V
● Vgs th - Vultaġġ tal-Limitu tal-Punt tas-Sors: 3 V