L-Oriġinali FMUSER SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-channel MOS-field field effect Broadband RF Power Field-Effect Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

L-FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-channel MOS-field field Effect Broadband RF Power Field-Effect Transistor Description L-SD2941-10 huwa transistor ta ’l-enerġija RF ta’ l-MOS channel-effect N-channel MOS metalizzat. Applikazzjonijiet ta 'sinjal kbir ta' 28 V sa 50 V dc sa 230 MHz. Joffri RDS 25% inqas (mixgħul) mill-istandard tal-industrija, b'20% PSAT ogħla mill-apparat SD2931-10 ta 'ST. L-SD2941-10 jinsab fil-pakkett termali baxx M174 mhux pedestall, li joffri 25% ta 'reżistenza termali inqas mill-istandard tal-industrija, u b'hekk jagħmilha l-aħjar transistor fil-klassi għal applikazzjonijiet ISM, fejn l-affidabbiltà u r-robustezza huma fattur kritiku . Speċifikazzjoni

dettall

preċedenti:L-FMUSER Oriġinali MRF151 To-59 Tube ta 'Frekwenza Għolja 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET RF Qawwa b'effett transistor

Li jmiss:FMUSER MRFE6VP5150N RF Transistors LDMOS Qawwa Għolja N - Titjib tal-Kanal - Mod Transistor MOSFETs Laterali

Prezz (USD)	Qty (PCS)	Tbaħħir (USD)	Totali (USD)	Metodu tat-tbaħħir	Ħlas
79	1	0	79	airmail
				airmail

L-Oriġinali FMUSER SD2941-10 MOSFETs HF / VHF / UHF N-channel Effett fuq il-post MOS Broadband Qawwa RF Effett fuq il-Qasam Transistor

deskrizzjoni
L-SD2941-10 huwa kanal N tad-deheb metallizzat Transistor tal-qawwa RF b'effett fuq il-post MOS, maħsub għal uża f'applikazzjonijiet ta 'sinjal kbir ta' 28 V sa 50 V cc għal 230 MHz. Joffri 25% RDS aktar baxx (fuq) minn dak standard tal-industrija, b'20% PSAT ogħla minn L-apparat SD2931-10 ST. L-SD2941-10 huwa alloġġjat fin-nuqqas ta 'pedestall M174 termiku baxx pakkett, li joffri 25% reżistenza termali aktar baxxa għajr l-istandard tal-industrija, u b'hekk tagħmilha transistor "tal-aqwa klassi" għal applikazzjonijiet ISM, fejn l-affidabbiltà u r-reżistenza huma kritiċi fattur.

speċifikazzjonijiet

● Kategorija tal-Prodott: Transistors MOSFET RF
● Polarità tat-Transistor: N-Channel
● Id - Kurrent ta ’Drenaġġ Kontinwu: 20 A
● Vds - Vultaġġ tat-Tqassim tas-Sors tad-Drenaġġ: 130 V
● Qligħ: 15.8 dB
● Qawwa tal-ħruġ: 175 W
● Temperatura Operattiva Minima: - 65 Ċ
● Temperatura operattiva massima: + 150 Ċ
● Stil tal-Immuntar: SMD / SMT
● Pakkett / Każ: M174
● Ippakkjar: Bulk
● Konfigurazzjoni: Uniku
● Għoli: mm 7.11
● Tul: mm 24.89
● Frekwenza tat-tħaddim: 230 MHz
● Serje: SD2941
● Tip: MOSFET tal-Qawwa RF
● Wisa: mm 12.83
● Quddiem Transkonduttività - Min: 6 S
● Modalità tal-Kanal: Titjib
● Pd - Tqassim tal-Qawwa: 389 W
● Tip ta 'Prodott: Transistors MOSFET RF
● Pakkett tal-Fabbrika Kwantità: 25
● Subkategorija: MOSFETI
● Vgs - Voltaġġ tas-Sors tal-Bieb: 20 V

Karatteristiċi
● Metallizzazzjoni tad-deheb
● Istabbiltà termali eċċellenti
● Konfigurazzjoni tas-sors komuni
● POUT = 175 W min. bi qligħ 15 dB @ 175
MHz, 50 V
● POUT = 135 W tip. bi qligħ ta '14 dB @ 123 MHz,
28 V
● RDS baxx (mixgħul)
● Imballaġġ termiku msaħħaħ għal aktar baxx
● temperaturi tal-ġonta
● F'konformità mal-linji ta 'l-Ewropa 2002/95 / KE1
direttiva