FMUSER MRFE6VP5150N RF Transistors LDMOS Qawwa Għolja N - Titjib tal-Kanal - Mod Lateral MOSFETs Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER MRFE6VP5150N Transisters LDMOS ta 'Qawwa RF Imħatteb Għoli N - Modalità ta' Tisħiħ tal-Kanal MOSFETs Laterali Deskrizzjoni tat-Transistor Dawn l-apparati ta 'robustezza għolja huma ddisinjati għall-użu f'industriji VSWR għolja (inklużi laser u plasma exciters), imxandra (analoga u diġitali), aerospazjali u radju / art applikazzjonijiet mobbli. Huma disinni ta 'dħul u ħruġ mhux imqabbla li jippermettu użu ta' firxa wiesgħa ta 'frekwenza, bejn 1.8 u 600 MHz. Prestazzjoni Tipika: VDD = 50 Vdc Parametru Valur ● Frekwenza (Min) (MHz): 1.8 ● Frekwenza (Max) (MHz): 600 ● Vultaġġ tal-Provvista (Typ) (V): 50 ● P1dB (Typ) (dBm): 51.8 ● P1dB (Typ) (W): 150 ● Output Power (Typ) (W) @ Livell ta 'Intermodulazzjoni fis-Sinjal tat-Test: CW @

dettall

preċedenti:Il-FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-channel MOS-field field effect Broadband RF Power Power-Effect Field Transistor

Li jmiss:FMUSER Oriġinali BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Power Transistor

Prezz (USD)	Qty (PCS)	Tbaħħir (USD)	Totali (USD)	Metodu tat-tbaħħir	Ħlas
126	1	0	126	DHL
				DHL

FMUSER MRFE6VP5150N RF Transistors LDMOS Qawwa Għolja N - Modalità tat-Titjib tal-Kanal Transistor MOSFETs Laterali

deskrizzjoni

Dawn il-mezzi ta 'robustezza għolja huma ddisinjati biex jintużaw f'VSWR għolja industrijali (inklużi eċċiters bil-lejżer u fil-plażma), imxandra (analoga u diġitali), applikazzjonijiet mobbli aerospazjali u tar-radju / art. Huma input mhux imqabbla u Disinji ta 'ħruġ li jippermettu użu wiesa' ta 'frekwenzi, bejn 1.8 u 600 MHz.

Prestazzjoni tipika: VDD = 50 Vdc

Parametru valur
● Frekwenza (Min) (MHz): 1.8
● Frekwenza (Max) (MHz): 600
● Vultaġġ tal-Provvista (Tip) (V): 50
● P1dB (Tip) (dBm): 51.8
● P1dB (Tip) (W): 150
● Qawwa tal-Ħruġ (Tip) (W) @ Livell ta 'Intermodulazzjoni fis-Sinjal tat-Test: CW @ 150.0
● Sinjal tat-Test: CW
● Qligħ tal-Qawwa (Tip) (dB) @ f (MHz): 230 @ 26.3
● Effiċjenza (Tip) (%): 72
● Reżistenza termali (Spec) (℃ / W): 0.21
● Tqabbil: mhux imqabbla
● Klassi: AB
● Teknoloġija tal-Imut: LDMOS